微源半导体

概述

LPD2105是一款高耐压的高速半桥栅极驱动芯片，具有0.3A拉电流和1.0A灌电流能力，专用于驱动N沟道MOSFET或IGBT组成的半桥。LPD2105内部集成了逻辑信号输入处理电路、电平转换电路、脉冲滤波电路和输出驱动电路。
LPD2105具有高可靠性和抗干扰能力，高压耐压达600V。开关节点动态能力支持达50V/ns，瞬态耐压能力达-60V(100ns）。
LPD2105集成了完善的保护功能，集成了输入最小脉冲宽度识别功能，输出互锁和死区保护功能，VDD和HB-VS UVLO保护。

应用

◆ 电机驱动，
◆ 开关电源
◆ 逆变器
◆ 变频器

数据参数

通道

2(HS+LS MOS Driver)

输入电压(V)

10-20

静态电流(uA)

100

驱动电流(A)

0.3/-1.0

特点

600V half-bridge driver IC withintegrated bootstrap diode, supporting switching node slew rate up to 50V/ns, featuring output interlock and dead-time protection.

封装

SOP8

特征

◆ 开关节点高压耐压：600V
◆ 开关节点负压耐压：-60V(100ns)
◆ 开关节点dV/dt 能力：50V/ns
◆ 开关节点逻辑负压能力：-11V (VDD=15V)
◆ 驱动能力300mA拉电流、-1A灌电流；
◆ VDD to COM耐压25V
◆ VDD UVLO保护
◆ HO/ HB to VS耐压25V
◆ HB-VS UVLO保护；
◆ 短传输延时（130ns）；
◆ 延迟匹配（10ns）
◆ 双通道输入最小on/off time 50ns
◆ 双通道输出互锁；
◆ 双通道输出固定死区时间500ns
◆ 兼容3.3V, 5V, 和15V输入电压逻辑
◆ 斯密特触发器输入
◆ 集成自举二极管
◆ 低功耗：
- VDD 100.0 µA (典型值)
- HB to VS 60.0 µA (典型值)
◆ ESD等级:
- Human Body Model: 2kV
- Charged Device Model: 1kV
◆ 封装: SOP-8
◆ 符合RoHS标准，无铅